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'fds6609a_nl'

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category.单MOSFET晶体管 (4)

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对比	图片	产品型号	品牌	数据表	库存	价格(含增值税)	数量	Rohs	底架	安装类型	包装/外壳	表面安装	引脚数	供应商器件包装	晶体管元件材料			厂商							Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id	操作温度	包装	已出版	系列	JESD-609代码	无铅代码	零件状态	湿度敏感性等级(MSL)	终止次数	端子表面处理	电压 - 额定直流	技术	端子位置	终端形式	峰值回流焊温度（摄氏度）	额定电流	时间@峰值回流温度-最大值(s)	JESD-30代码	资历状况	配置	操作模式	功率耗散	场效应管类型	晶体管应用	Rds On(Max)@Id,Vgs	输入电容(Ciss)(Max)@Vds	门极电荷(Qg)(最大)@Vgs	上升时间	漏源电压 (Vdss)	Vgs（最大值）	下降时间（典型值）	连续放电电流(ID)	栅极至源极电压(Vgs)	最大漏极电流 (Abs) (ID)	漏极-源极导通最大电阻	漏源击穿电压	DS 击穿电压-最小值	场效应管特性	RoHS状态	无铅
		FDS6609A-NL-VB	VBsemi Elec	数据表	48000 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1			true	Tape & Reel (TR)
		FDS6609A	Rochester Electronics, LLC	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	YES	8	SILICON		1	2.5W Ta			6.3A Ta	4.5V 10V	3V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)		PowerTrench®	e3	yes	Obsolete	1 (Unlimited)	8	哑光锡			DUAL	鸥翼	260		未说明	R-PDSO-G8	COMMERCIAL	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	增强型MOSFET		P-Channel	SWITCHING	32m Ω @ 7A, 10V	930pF @ 15V	29nC @ 10V		30V	±20V				6.3A	0.032Ohm		30V		ROHS3 Compliant
		FDS6609A	ON Semiconductor	数据表	10200 In Stock	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	6.3A Ta	4.5V 10V		2.5W Ta	33 ns					3V @ 250μA	-55°C~150°C TJ	Tape & Reel (TR)	2007	PowerTrench®			Obsolete	1 (Unlimited)			-30V					-6.3A						2.5W	P-Channel		32m Ω @ 7A, 10V	930pF @ 15V	29nC @ 10V	11ns	30V	±20V	13 ns	6.3A	20V			-30V			符合RoHS标准	无铅
		FDS6609A	Fairchild	数据表	N/A	-	最小起订量: 1 最小包装量: 1		表面贴装	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	8-SOIC		Bulk	6.3A (Ta)	Fairchild Semiconductor	4.5V, 10V	2.5W (Ta)	Obsolete				3V @ 250µA	-55°C ~ 150°C (TJ)			PowerTrench®								MOSFET (Metal Oxide)											P-Channel		32mOhm @ 7A, 10V	930 pF @ 15 V	29 nC @ 10 V		30 V	±20V								-