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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 表面安装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | ECCN 代码 | 附加功能 | 端子位置 | 终端形式 | Reach合规守则 | 引脚数量 | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 操作模式 | 晶体管应用 | 极性/通道类型 | 漏极-源极导通最大电阻 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管技术 | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS6912AS62Z | Fairchild (ON Semiconductor) | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | YES | 8 | SILICON | FDS6912AS62Z | Obsolete | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP | SOT | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 5.35 | 6 A | 2 | 150 °C | PLASTIC/EPOXY | RECTANGULAR | 小概要 | EAR99 | 逻辑电平兼容 | DUAL | 鸥翼 | unknown | 8 | R-PDSO-G8 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | SWITCHING | N-CHANNEL | 0.028 Ω | 30 V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
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