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对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 材料 | 形状 | 包装冷却 | 材料处理 | 晶体管元件材料 | 厂商 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | 类型 | 电阻 | 端子表面处理 | 电压 - 额定直流 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度（摄氏度） | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | JESD-30代码 | 资历状况 | 配置 | 附着方法 | 离底高度(鳍的高度) | 强制空气流动时的热阻 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs（最大值） | 下降时间（典型值） | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 双电源电压 | DS 击穿电压-最小值 | 场效应管特性 | 栅源电压 | 自然环境下的热阻 | 温度上升时的耗散功率 | 直径 | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | FDS7764S | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 2.5W Ta | 46 ns | 13.5A Ta | 4.5V 10V | 2V @ 1mA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2002 | PowerTrench® | Obsolete | 1 (Unlimited) | SMD/SMT | 75MOhm | 30V | 13.5A | 2.5W | 9 ns | N-Channel | 7.5m Ω @ 13.5A, 10V | 2800pF @ 15V | 35nC @ 5V | 7ns | ±16V | 16 ns | 13.5A | 1.4V | 16V | 30V | 30V | 1.4 V | 无 | 无SVHC | 符合RoHS标准 | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDS7764S | Fairchild | 数据表 | 2500 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC | Aluminum | Square, Fins | Assorted (BGA, LGA, CPU, ASIC...) | 蓝色阳极氧化 | Bulk | 13.5A (Ta) | Fairchild Semiconductor | 4.5V, 10V | 2.5W (Ta) | Obsolete | 2V @ 1mA | -55°C ~ 150°C (TJ) | pushPIN™ | 活跃 | 顶部安装 | MOSFET (Metal Oxide) | 推销 | 0.472 (12.00mm) | 9.03°C/W @ 100 LFM | N-Channel | 7.5mOhm @ 13.5A, 10V | 2800 pF @ 15 V | 35 nC @ 5 V | 30 V | ±16V | - | -- | -- | -- | 1.772 (45.00mm) | 1.772 (45.00mm) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FDS7764S | Rochester Electronics, LLC | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | 8 | SILICON | 2.5W Ta | 1 | 13.5A Ta | 4.5V 10V | 2V @ 1mA | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | PowerTrench® | e3 | yes | Obsolete | 1 (Unlimited) | 8 | 哑光锡 | DUAL | 鸥翼 | 260 | 未说明 | R-PDSO-G8 | COMMERCIAL | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | N-Channel | SWITCHING | 7.5m Ω @ 13.5A, 10V | 2.8pF @ 15V | 35nC @ 5V | 30V | ±16V | 13.5A | 0.0075Ohm | 30V | ROHS3 Compliant |
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