Fairchild (ON Semiconductor) IRFS610B_FP001

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-220-3 Full Pack

供应商器件包装

TO-220F

Manufacturer Part Number

IRFS610B_FP001

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

Risk Rank

5.84

Operating Temperature-Max

150 °C

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.3A (Tj)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

22W (Tc)

Product Status

活跃

操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

技术

MOSFET (Metal Oxide)

Reach合规守则

not_compliant

配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

场效应管类型

N-Channel

Rds On(Max)@Id,Vgs

1.5Ohm @ 1.65A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

225 pF @ 25 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

9.3 nC @ 10 V

漏源电压 (Vdss)

200 V

Vgs（最大值）

±30V

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

2.5 A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

22 W

场效应管特性

-