Fairchild Semiconductor 1N959BTR
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1N959BTR
836-1N959BTR
二极管 - 齐纳 - 单
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大陆
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Zener Diode, 8.2V V(Z), 5%, 0.4W
1最小包装量--
1N959BTR详情
Fairchild Semiconductor 1N959BTR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
2
Voltage Rating (DC)
8.2 V
RoHS
Compliant
包装
Tape & Reel
容差
5 %
最高工作温度
200 °C
最小工作温度
-65 °C
额定功率
500 mW
最大功率耗散
500 mW
阻抗
6.5 Ω
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
最大反向漏电电流
50 µA
测试电流
15 mA
齐纳电压
8.2 V
电压允差
5 %
齐纳电流
38 mA
辐射硬化
无
无铅
无铅
1N959BTR拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild
Fairchild
Fairchild
Fairchild
Fairchild
Fairchild
Fairchild
Fairchild
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