Fairchild Semiconductor 2N5401RA
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2N5401RA
836-2N5401RA
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 阵列
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
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SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
1最小包装量--
2N5401RA详情
Fairchild Semiconductor 2N5401RA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-92 (TO-226)
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Fairchild Semiconductor
Package
Bulk
Product Status
活跃
Current-Collector (Ic) (Max)
600mA
Package Description
CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
2N5401RA
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
7.76
Part Package Code
TO-92
系列
-
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
625mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
PNP
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
60 @ 10mA, 5V
最大集极截止电流
50μA (ICBO)
JEDEC-95代码
TO-92
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
500mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
150V
频率转换
400MHz
集电极电流-最大值(IC)
0.6 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
150 V
2N5401RA拓展信息
Fairchild Semiconductor
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Fairchild Semiconductor
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Fairchild
Fairchild
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