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Fairchild Semiconductor 2N5551YTA

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型号

2N5551YTA

utmel 编号

836-2N5551YTA

商品类别

分立半导体产品

封装

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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2N5551YTA Fairchild Semiconductor Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92

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2N5551YTA详情

Fairchild Semiconductor 2N5551YTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads

  • 表面安装

    NO

  • 供应商器件包装

    TO-92-3

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package

    Bulk

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    600 mA

  • 厂商

    Fairchild Semiconductor

  • Product Status

    Obsolete

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Transition Frequency-Nom (fT)

    100 MHz

  • Manufacturer Part Number

    2N5551YTA

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

  • Risk Rank

    5.34

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • JESD-609代码

    e3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Matte Tin (Sn)

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 子类别

    其他晶体管

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    compliant

  • JESD-30代码

    O-PBCY-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 功率 - 最大

    625 mW

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 极性/通道类型

    NPN

  • 晶体管类型

    NPN

  • 最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce

    180 @ 10mA, 5V

  • 最大集极截止电流

    -

  • JEDEC-95代码

    TO-92

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)

    200mV @ 5mA, 50mA

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    160 V

  • 频率转换

    100MHz

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.625 W

  • 集电极电流-最大值(IC)

    0.6 A

  • 最小直流增益(hFE)

    30

  • 集电极-发射器电压-最大值

    160 V

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