Fairchild Semiconductor 2N5551YTA
- 收藏
- 对比
2N5551YTA
836-2N5551YTA
分立半导体产品
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
大陆
立即发货

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
--最小包装量--
2N5551YTA详情
Fairchild Semiconductor 2N5551YTA重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-92-3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
600 mA
厂商
Fairchild Semiconductor
Product Status
Obsolete
Package Style
CYLINDRICAL
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Manufacturer Part Number
2N5551YTA
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.34
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
HTS代码
8541.21.00.95
子类别
其他晶体管
端子位置
BOTTOM
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-PBCY-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
625 mW
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
180 @ 10mA, 5V
最大集极截止电流
-
JEDEC-95代码
TO-92
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
200mV @ 5mA, 50mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
160 V
频率转换
100MHz
最大耗散功率(Abs)
0.625 W
集电极电流-最大值(IC)
0.6 A
最小直流增益(hFE)
30
集电极-发射器电压-最大值
160 V
2N5551YTA拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor







哦! 它是空的。