Fairchild Semiconductor 2SC3503DSTU

底架

通孔

质量

761 mg

Collector-Emitter Breakdown Voltage

300 V

hFEMin

40

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

7 W

频率

150 MHz

极性

NPN

元素配置

Single

功率耗散

7 W

增益带宽积

150 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

300 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

150 MHz

集电极基极电压(VCBO)

300 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

无铅

无铅