Fairchild Semiconductor BC214LC_J35Z

底架

通孔

引脚数

3

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30 V

hFEMin

140

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

包装

Bulk

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

最大功率耗散

625 mW

频率

200 MHz

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

625 mW

增益带宽积

200 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

500 mA

转换频率

200 MHz

集电极基极电压(VCBO)

45 V

发射极基极电压 (VEBO)

5 V

辐射硬化

无