Fairchild Semiconductor BC558_J35Z

底架

通孔

引脚数

3

Collector-Emitter Saturation Voltage

-250 mV

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30 V

hFEMin

110

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

包装

Bulk

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-65 °C

最大功率耗散

500 mW

频率

150 MHz

极性

PNP

元素配置

Single

功率耗散

500 mW

增益带宽积

150 MHz

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

100 mA

转换频率

150 MHz

集电极基极电压(VCBO)

30 V

发射极基极电压 (VEBO)

-5 V

辐射硬化

无