Fairchild Semiconductor BC559BD75Z
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BC559BD75Z
836-BC559BD75Z
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BC559BD75Z详情
Fairchild Semiconductor BC559BD75Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Case/Package
TO-92-3
Collector-Emitter Saturation Voltage
-250 mV
hFEMin
110
RoHS
Non-Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
500 mW
极性
PNP
元素配置
Single
增益带宽积
150 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
-30 V
最大集电极电流
-100 mA
集电极基极电压(VCBO)
-30 V
发射极基极电压 (VEBO)
-5 V
BC559BD75Z拓展信息







哦! 它是空的。