Fairchild Semiconductor BC636_J35Z
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BC636_J35Z
836-BC636_J35Z
分立半导体产品
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, TO-92, 3 PIN
1最小包装量--
BC636_J35Z详情
Fairchild Semiconductor BC636_J35Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Collector-Emitter Breakdown Voltage
45 V
hFEMin
25
Number of Elements
1
RoHS
Compliant
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
1 W
频率
100 MHz
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
1 W
增益带宽积
100 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
45 V
最大集电极电流
1 A
转换频率
100 MHz
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
辐射硬化
无
BC636_J35Z拓展信息
Fairchild Semiconductor
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