Fairchild Semiconductor BCW60B
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BCW60B
836-BCW60B
分立半导体产品
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NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, SOT23, JEDEC TO-236, LOW PROFILE, 3000/TAPE REEL
1最小包装量--
BCW60B详情
Fairchild Semiconductor BCW60B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
30 mg
Collector-Emitter Saturation Voltage
550 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
32 V
hFEMin
180
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
32 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
350 mW
额定电流
100 mA
频率
125 MHz
极性
NPN
元素配置
Single
功率耗散
350 mW
增益带宽积
125 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
32 V
最大集电极电流
100 mA
转换频率
125 MHz
集电极基极电压(VCBO)
32 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
无铅
无铅
BCW60B拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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