Fairchild Semiconductor BCW61DMTF
- 收藏
- 对比
BCW61DMTF
836-BCW61DMTF
分立半导体产品
--
大陆
立即发货

PNP Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, SOT23, JEDEC TO-236, LOW PROFILE, 3000/TAPE REEL
--最小包装量--
BCW61DMTF详情
Fairchild Semiconductor BCW61DMTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
3
质量
30 mg
Collector-Emitter Saturation Voltage
-550 mV
Collector-Emitter Breakdown Voltage
32 V
hFEMin
380
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
-32 V
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
350 mW
额定电流
-100 mA
极性
PNP
元素配置
Single
功率耗散
350 mW
集电极发射器电压(VCEO)
550 mV
最大集电极电流
100 mA
集电极基极电压(VCBO)
-32 V
发射极基极电压 (VEBO)
-5 V
无铅
无铅
BCW61DMTF拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor







哦! 它是空的。