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Fairchild Semiconductor FDB4020P

Name: FDB4020P
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDB4020P
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDB4020P

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDB4020P

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN

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FDB4020P Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 20V, 0.08ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN

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FDB4020P详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDB4020P重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
供应商器件包装

D2PAK (TO-263)
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

37.5W (Tc)
Product Status

Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1V @ 250µA
操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)
系列

-
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

80mOhm @ 8A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

665 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)

20 V
Vgs（最大值）

±8V
场效应管特性

-

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