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Fairchild Semiconductor FDB6670AS

Name: FDB6670AS
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDB6670AS
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDB6670AS

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDB6670AS

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN

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FDB6670AS Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.0085ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 3 PIN

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FDB6670AS详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDB6670AS重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
安装类型

表面贴装
供应商器件包装

D2PAK (TO-263)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 1mA
Product Status

Obsolete
Power Dissipation (Max)

62.5W (Tc)
厂商

Fairchild Semiconductor
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

62A (Ta)
Package

Bulk
系列

PowerTrench®
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

8.5mOhm @ 31A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1570 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

39 nC @ 15 V
漏源电压 (Vdss)

30 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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