Fairchild Semiconductor FDB6676

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

供应商器件包装

TO-263AB

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

84A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

93W (Tc)

Product Status

活跃

Package Description

D2PAK-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

FDB6676

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.38

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

75 A

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

PowerTrench®

端子表面处理

未说明

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

6mOhm @ 42A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5324 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

60 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±16V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.006 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

240 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

370 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-