Fairchild Semiconductor FDB7030BLS

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

D2PAK (TO-263)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package

Bulk

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

厂商

Fairchild Semiconductor

Power Dissipation (Max)

60W (Tc)

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Package Description

D2PAK-3

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

FDB7030BLS

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.32

Part Package Code

D2PAK

Drain Current-Max (ID)

56 A

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

PowerTrench®

端子表面处理

未说明

技术

MOSFET (Metal Oxide)

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

9mOhm @ 30A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1760 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

漏极-源极导通最大电阻

0.0105 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

160 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

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