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Fairchild Semiconductor FDC6322C

Name: FDC6322C
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDC6322C
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDC6322C

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDC6322C

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6322C Fairchild Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 0.22A I(D), 25V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6322C详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDC6322C重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件包装

SuperSOT™-6
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

220mA, 460mA
厂商

Fairchild Semiconductor
Product Status

Obsolete
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

-
功率 - 最大

700mW
场效应管类型

N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

4Ohm @ 400mA, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

9.5pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.7nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)

25V
场效应管特性

逻辑电平门

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FDC6322C拓展信息

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