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Fairchild Semiconductor FDC6432SH

Name: FDC6432SH
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDC6432SH
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDC6432SH

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDC6432SH

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6432SH Fairchild Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDC6432SH详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDC6432SH重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件包装

SuperSOT™-6
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

2.4A, 2.5A
厂商

Fairchild Semiconductor
Product Status

Obsolete
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

PowerTrench®, SyncFET™
功率 - 最大

700mW
场效应管类型

N and P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

90mOhm @ 2.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

270pF @ 15V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

3.5nC @ 5V
漏源电压 (Vdss)

30V, 12V
场效应管特性

逻辑电平门

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