注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Fairchild Semiconductor FDC699P

Name: FDC699P
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDC699P
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

FDC699P

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDC699P

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, FLMP, SUPERSOT-6

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

FDC699P Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, FLMP, SUPERSOT-6

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

FDC699P详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDC699P重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
供应商器件包装

SuperSOT™-6 FLMP
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

7A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

2W (Ta)
Product Status

Obsolete
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

PowerTrench®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

22mOhm @ 7A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2640 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

38 nC @ 5 V
漏源电压 (Vdss)

20 V
Vgs（最大值）

±12V
场效应管特性

-

0个相似型号

FDC699P拓展信息

热销零件