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Fairchild Semiconductor FDC699P_F077

Name: FDC699P_F077
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDC699P_F077
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDC699P_F077

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDC699P_F077

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, FLMP, SUPERSOT-6

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FDC699P_F077 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 20V, 0.022ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, FLMP, SUPERSOT-6

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FDC699P_F077详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDC699P_F077重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

6
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

75 ns
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

1.5 W
功率耗散

2 W
上升时间

11 ns
漏源电压 (Vdss)

20 V
连续放电电流(ID)

7 A
栅极至源极电压(Vgs)

12 V
漏源击穿电压

20 V
输入电容

2.64 nF
漏源电阻

22 mΩ
最大rds

22 mΩ
无铅

无铅

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FDC699P_F077拓展信息

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