Fairchild Semiconductor FDD6670A_NL

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

表面安装

YES

引脚数

3

供应商器件包装

TO-252, (D-Pak)

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

厂商

Fairchild Semiconductor

Package

Bulk

Product Status

活跃

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250μA

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

15A (Ta), 66A (Tc)

Power Dissipation (Max)

1.3W (Ta), 63W (Tc)

Package Description

DPAK-3

Package Style

小概要

Moisture Sensitivity Levels

未说明

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

FDD6670A_NL

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Rochester Electronics LLC

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

ROCHESTER ELECTRONICS LLC

Risk Rank

5.16

Part Package Code

TO-252

Drain Current-Max (ID)

15 A

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

无铅代码

有

端子表面处理

未说明

附加功能

快速切换

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

JESD-30代码

R-PSSO-G2

资历状况

COMMERCIAL

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

场效应管类型

N-Channel

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

8mOhm @ 15A, 10V

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1755 pF @ 15 V

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

22 nC @ 5 V

漏源电压 (Vdss)

30 V

Vgs（最大值）

±20V

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

漏极-源极导通最大电阻

0.008 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

67 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

-

达到SVHC

unknown