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Fairchild Semiconductor FDD6680S

Name: FDD6680S
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDD6680S
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDD6680S

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDD6680S

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FDD6680S Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.011ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, DPAK-3

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FDD6680S详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDD6680S重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件包装

TO-252, (D-Pak)
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

55A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

1.3W (Ta)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

PowerTrench®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

11mOhm @ 12.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2010 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

24 nC @ 5 V
漏源电压 (Vdss)

30 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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