FDFC3N108
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Fairchild Semiconductor FDFC3N108

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型号

FDFC3N108

utmel 编号

836-FDFC3N108

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDFC3N108
FDFC3N108 Fairchild Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-6

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FDFC3N108详情

Fairchild Semiconductor FDFC3N108重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

  • 供应商器件包装

    SuperSOT™-6

  • Package

    Bulk

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    3A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    2.5V, 4.5V

  • 厂商

    Fairchild Semiconductor

  • Power Dissipation (Max)

    -

  • Product Status

    Obsolete

  • 操作温度

    -55°C ~ 150°C (TJ)

  • 系列

    -

  • 技术

    MOSFET (Metal Oxide)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    70mOhm @ 3A, 4.5V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    1.5V @ 250µA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    355 pF @ 10 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    4.9 nC @ 4.5 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    20 V

  • Vgs(最大值)

    ±12V

  • 场效应管特性

    Schottky Diode (Isolated)

0个相似型号

FDFC3N108拓展信息

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