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'fdg311n_nl'

2结果

category.单MOSFET晶体管 (2)

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

质量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

已出版

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

组成

电压 - 额定直流

技术

端子位置

终端形式

额定电流

元素配置

操作模式

功率耗散

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

阈值电压

栅极至源极电压(Vgs)

漏源击穿电压

场效应管特性

栅源电压

瓦特

高度

长度

宽度

辐射硬化

达到SVHC

RoHS状态

无铅

FDG311N

ON Semiconductor

45 In Stock

1: ¥4.270446
10: ¥4.028721
100: ¥3.800681
500: ¥3.585548

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-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

10 Weeks

Tin

表面贴装

表面贴装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

6

28mg

SILICON

1.9A Ta

2.5V 4.5V

1

750mW Ta

10 ns

1.5V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

2000

PowerTrench®

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 2 days ago)

1 (Unlimited)

6

EAR99

20V

DUAL

鸥翼

1.9A

Single

增强型MOSFET

750mW

5 ns

N-Channel

SWITCHING

115m Ω @ 1.9A, 4.5V

270pF @ 10V

4.5nC @ 4.5V

9ns

±8V

9 ns

1.9A

900mV

8V

20V

900 mV

1mm

2mm

1.25mm

无

无SVHC

ROHS3 Compliant

无铅

FDG311N

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

SC-88 (SC-70-6)

500-0228

电脑板

Slotted

NTE Electronics

Fairchild Semiconductor

无

Bulk

1.9A (Ta)

2.5V, 4.5V

750mW (Ta)

活跃

1.5V @ 250µA

-67 to 257 Degrees F

PowerTrench®

100000

Cermet

MOSFET (Metal Oxide)

N-Channel

115mOhm @ 1.9A, 4.5V

270 pF @ 10 V

4.5 nC @ 4.5 V

20 V

±8V

-

0.5