Fairchild Semiconductor FDMC8878_F126
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FDMC8878_F126
836-FDMC8878_F126
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
FDMC8878_F126详情
Fairchild Semiconductor FDMC8878_F126重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
8
RoHS
Compliant
包装
Tape & Reel (TR)
电阻
14 Ω
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
2.1 W
功率耗散
31 W
漏源电压 (Vdss)
30 V
连续放电电流(ID)
16.5 A
漏源击穿电压
30 V
输入电容
1.23 nF
漏源电阻
14 mΩ
最大rds
14 mΩ
FDMC8878_F126拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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