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Fairchild Semiconductor FDN363N

Name: FDN363N
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDN363N
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDN363N

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDN363N

商品类别

无类别的

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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FDN363N Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 0.24ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3

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FDN363N详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDN363N重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装

SuperSOT™-3
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

1A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

500mW (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

PowerTrench®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

240mOhm @ 1A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

200 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

5.2 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

100 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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FDN363N拓展信息

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