Fairchild Semiconductor FDN5630_F095
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FDN5630_F095
836-FDN5630_F095
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
1最小包装量--
FDN5630_F095详情
Fairchild Semiconductor FDN5630_F095重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
质量
29.993795 mg
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
15 ns
Moisture Sensitivity Levels
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
FDN5630-F095
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.84
包装
Cut Tape (CT)
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
子类别
FET 通用电源
最大功率耗散
460 mW
Reach合规守则
compliant
配置
Single
通道数量
1
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
接通延迟时间
10 ns
上升时间
6 ns
漏源电压 (Vdss)
60 V
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
1.7 A
栅极至源极电压(Vgs)
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.7 A
漏源击穿电压
60 V
输入电容
400 pF
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
漏源电阻
120 mΩ
最大rds
100 mΩ
FDN5630_F095拓展信息
Fairchild Semiconductor
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