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Fairchild Semiconductor FDP14AN06LA0

Name: FDP14AN06LA0
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDP14AN06LA0
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDP14AN06LA0

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDP14AN06LA0

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 2 PIN

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FDP14AN06LA0 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263AB, 2 PIN

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FDP14AN06LA0详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDP14AN06LA0重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3
供应商器件包装

TO-220-3
Package

Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10A (Ta), 67A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

125W (Tc)
Product Status

Obsolete
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

PowerTrench®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

11.6mOhm @ 67A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2900 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

31 nC @ 5 V
漏源电压 (Vdss)

60 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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