Fairchild Semiconductor FDP14N60
- 收藏
- 对比
FDP14N60
836-FDP14N60
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
--
大陆
立即发货

Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 600V, 0.49ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
1最小包装量--
FDP14N60详情
Fairchild Semiconductor FDP14N60重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
37.2 ns
电阻
490 mΩ
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
元素配置
Single
功率耗散
300 W
上升时间
15.2 ns
连续放电电流(ID)
14 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏源击穿电压
600 V
漏源电阻
490 mΩ
FDP14N60拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor







哦! 它是空的。