Fairchild Semiconductor FDP6644S
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FDP6644S
836-FDP6644S
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 55A I(D), 30V, 0.01ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
1最小包装量--
FDP6644S详情
Fairchild Semiconductor FDP6644S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
53 ns
Package Description
TO-220, 3 PIN
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
FDP6644S
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Fairchild Semiconductor Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
Risk Rank
5.91
Part Package Code
TO-220AB
Drain Current-Max (ID)
55 A
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-65 °C
子类别
FET 通用电源
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
元素配置
Single
操作模式
增强型MOSFET
功率耗散
60 W
晶体管应用
SWITCHING
上升时间
11 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
连续放电电流(ID)
55 A
JEDEC-95代码
TO-220AB
栅极至源极电压(Vgs)
16 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
55 A
漏极-源极导通最大电阻
0.01 Ω
漏源击穿电压
30 V
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
150 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
60 W
漏源电阻
10 mΩ
FDP6644S拓展信息
Fairchild Semiconductor
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