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Fairchild Semiconductor FDP6676S

Name: FDP6676S
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDP6676S
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDP6676S

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDP6676S

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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FDP6676S Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 76A I(D), 30V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PIN

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FDP6676S详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDP6676S重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3
供应商器件包装

TO-220-3
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

76A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

70W (Tc)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

PowerTrench®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

6.5mOhm @ 38A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

4853 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

56 nC @ 5 V
漏源电压 (Vdss)

30 V
Vgs（最大值）

±16V
场效应管特性

-

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