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Fairchild Semiconductor FDS3612

Name: FDS3612
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDS3612
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDS3612

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDS3612

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS3612 Fairchild Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 3.4A I(D), 100V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS3612详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDS3612重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装

8-SOIC
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3.4A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)
Product Status

Obsolete
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

PowerTrench®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

120mOhm @ 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

632 pF @ 50 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

20 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

100 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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