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Fairchild Semiconductor FDS5170N7

Name: FDS5170N7
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDS5170N7
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDS5170N7

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDS5170N7

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, FLMP, SO-8

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FDS5170N7 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 10.6A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, FLMP, SO-8

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FDS5170N7详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDS5170N7重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
Voltage Rating (DC)

60 V
RoHS

Compliant
Turn Off Delay Time

43 ns
包装

切割胶带
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

3 W
额定电流

10.6 A
功率耗散

3 W
上升时间

10 ns
漏源电压 (Vdss)

60 V
连续放电电流(ID)

10.6 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

60 V
输入电容

2.889 nF
漏源电阻

12 mΩ
最大rds

12 mΩ
无铅

无铅

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