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'fds5690_f095'

3结果

category.单MOSFET晶体管 (3)

所有品牌

对比

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

工厂交货时间

触点镀层

底架

安装类型

包装/外壳

引脚数

供应商器件包装

质量

晶体管元件材料

厂商

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

操作温度

包装

系列

JESD-609代码

无铅代码

零件状态

湿度敏感性等级(MSL)

终止次数

ECCN 代码

电阻

最高工作温度

最小工作温度

电压 - 额定直流

最大功率耗散

技术

端子位置

终端形式

额定电流

元素配置

操作模式

功率耗散

接通延迟时间

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

上升时间

漏源电压 (Vdss)

Vgs（最大值）

下降时间（典型值）

连续放电电流(ID)

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏源击穿电压

场效应管特性

高度

长度

宽度

辐射硬化

RoHS状态

无铅

FDS5690

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

9 Weeks

Tin

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

130mg

SILICON

6V 10V

1

2.5W Ta

24 ns

7A Ta

4V @ 250μA

-55°C~150°C TJ

Tape & Reel (TR)

PowerTrench®

e3

yes

ACTIVE (Last Updated: 1 day ago)

1 (Unlimited)

8

EAR99

28mOhm

60V

DUAL

鸥翼

7A

Single

增强型MOSFET

2.5W

10 ns

N-Channel

SWITCHING

28m Ω @ 7A, 10V

1107pF @ 30V

32nC @ 10V

9ns

±20V

10 ns

7A

20V

7A

60V

1.5mm

5mm

4mm

无

ROHS3 Compliant

无铅

FDS5690

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8-SOIC

Bulk

7A (Ta)

Fairchild Semiconductor

6V, 10V

2.5W (Ta)

活跃

4V @ 250µA

-55°C ~ 150°C (TJ)

PowerTrench®

MOSFET (Metal Oxide)

N-Channel

28mOhm @ 7A, 10V

1107 pF @ 30 V

32 nC @ 10 V

60 V

±20V

-

FDS5690-NBBM009A

FDS5690-NBBM009A

ON Semiconductor

N/A

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

表面贴装

表面贴装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

8

7A Ta

4V @ 250μA

Cut Tape (CT)

PowerTrench®

ACTIVE (Last Updated: 1 week ago)

1 (Unlimited)

150°C

-55°C

1W

N-Channel

28m Ω @ 7A, 10V

1107pF @ 30V

32nC @ 10V

60V

7A

ROHS3 Compliant