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Fairchild Semiconductor FDS6675A

Name: FDS6675A
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDS6675A
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDS6675A

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDS6675A

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6675A Fairchild Semiconductor Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8

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FDS6675A详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDS6675A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
供应商器件包装

8-SOIC
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

11A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

2.5W (Ta)
Product Status

Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

3V @ 250µA
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

PowerTrench®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

P-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

13mOhm @ 11A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2330 pF @ 15 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

34 nC @ 5 V
漏源电压 (Vdss)

30 V
Vgs（最大值）

±25V
场效应管特性

-

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FDS6675A拓展信息

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