对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 工厂交货时间 | 生命周期状态 | 触点镀层 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 质量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | 尺寸/尺寸 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | 终端 | ECCN 代码 | 类型 | 电阻 | 性别 | 电压 - 额定直流 | 最大功率耗散 | 电压 - 供电 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 频率 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 频率稳定性 | 输出量 | JESD-30代码 | 功能 | 基本谐振器 | 最大电流源 | 资历状况 | 配置 | 元素配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 扩频带宽 | 接通延迟时间 | 功率 - 最大 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | 双电源电压 | DS 击穿电压-最小值 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 绝对牵引范围 (APR) | 场效应管特性 | 栅源电压 | 高度 | 座位高度(最大) | 长度 | 宽度 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | 评级结果 | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FDS8949 | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8-SOIC | Bulk | 6A | Fairchild Semiconductor | 活跃 | -55°C ~ 150°C (TJ) | PowerTrench® | Plug | 10A | 2W | 2 N-Channel (Dual) | 29mOhm @ 6A, 10V | 3V @ 250µA | 955pF @ 20V | 11nC @ 5V | 40V | 逻辑电平门 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS8949 | ON Semiconductor | 数据表 | 1758 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 12 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 6 days ago) | Tin | 表面贴装 | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | 8 | 187mg | SILICON | 23 ns | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2006 | PowerTrench® | e3 | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | SMD/SMT | EAR99 | 29mOhm | 40V | 2W | 鸥翼 | 6A | Dual | 增强型MOSFET | 2W | 9 ns | 2 N-Channel (Dual) | 29m Ω @ 6A, 10V | 3V @ 250μA | 955pF @ 20V | 11nC @ 5V | 5ns | 3 ns | 6A | 1.9V | 20V | 6A | 40V | 40V | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 逻辑电平门 | 1.9 V | 1.5mm | 5mm | 4mm | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS8949-VB | VBsemi Elec | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS8949-F085 | Fairchild | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 4-SMD, No Lead | 8-SOIC | Strip | SIT8924 | SiTime | 活跃 | 6A | -40°C ~ 125°C | SiT8924B | 0.079 L x 0.063 W (2.00mm x 1.60mm) | XO (Standard) | 1.8V | 50 MHz | ±50ppm | LVCMOS, LVTTL | Enable/Disable | MEMS | 4.5mA | - | 2W | 2 N-Channel (Dual) | 29mOhm @ 6A, 10V | 3V @ 250µA | 955pF @ 20V | 11nC @ 5V | 40V | - | 逻辑电平门 | 0.031 (0.80mm) | AEC-Q100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FDS8949-F085 | ON Semiconductor | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 7 Weeks | ACTIVE (Last Updated: 4 days ago) | 表面贴装 | 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) | YES | SILICON | 6A | 2 | -55°C~150°C TJ | Tape & Reel (TR) | Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® | yes | 活跃 | 1 (Unlimited) | 8 | 鸥翼 | 未说明 | 未说明 | R-PDSO-G8 | 不合格 | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 2W | 2 N-Channel (Dual) | SWITCHING | 29m Ω @ 6A, 10V | 3V @ 250μA | 955pF @ 20V | 11nC @ 5V | 40V | 6A | 0.029Ohm | 20A | 40V | 26 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 2W | 逻辑电平门 | ROHS3 Compliant |
FDS8949
Fairchild
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDS8949
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDS8949-VB
VBsemi Elec
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDS8949-F085
Fairchild
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
FDS8949-F085
ON Semiconductor
分类:Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays


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