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Fairchild Semiconductor FDT461N

Name: FDT461N
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDT461N
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDT461N

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDT461N

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-261-4, TO-261AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 0.54A I(D), 100V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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FDT461N Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 0.54A I(D), 100V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOT-223, 4 PIN

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FDT461N详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDT461N重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-261-4, TO-261AA
供应商器件包装

SOT-223-4
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

540mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

1.13W (Ta)
Product Status

Obsolete
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

PowerTrench®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

2Ohm @ 540mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

74 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

4 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

100 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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