注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Fairchild Semiconductor FDT55AN06LA0

Name: FDT55AN06LA0
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDT55AN06LA0
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

FDT55AN06LA0

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDT55AN06LA0

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

FDT55AN06LA0 Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 60V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT PACKAGE-4

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

FDT55AN06LA0详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDT55AN06LA0重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
引脚数

4
Turn Off Delay Time

23 ns
RoHS

Compliant
Number of Elements

1
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
最大功率耗散

8.9 W
功率耗散

8.9 W
上升时间

24 ns
漏源电压 (Vdss)

60 V
连续放电电流(ID)

12.1 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏源击穿电压

60 V
输入电容

1.13 nF
漏源电阻

46 mΩ
最大rds

46 mΩ

0个相似型号

FDT55AN06LA0拓展信息

热销零件