Fairchild Semiconductor FDU3706
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FDU3706
836-FDU3706
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 14.7A I(D), 20V, 0.009ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, IPAK-3
1最小包装量--
FDU3706详情
Fairchild Semiconductor FDU3706重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Voltage Rating (DC)
20 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
35 ns
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
1.6 W
额定电流
50 A
元素配置
Single
功率耗散
3.8 W
上升时间
15 ns
漏源电压 (Vdss)
20 V
连续放电电流(ID)
14.7 A
栅极至源极电压(Vgs)
12 V
漏源击穿电压
20 V
输入电容
1.882 nF
漏源电阻
9 mΩ
最大rds
9 mΩ
无铅
无铅
FDU3706拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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