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Fairchild Semiconductor FDU6512A

Name: FDU6512A
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDU6512A
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDU6512A

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDU6512A

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, IPAK-3

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FDU6512A Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 10.7A I(D), 20V, 0.021ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, IPAK-3

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FDU6512A详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDU6512A重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
供应商器件包装

I-PAK
Package

Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

10.7A (Ta), 36A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V
厂商

Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)

3.8W (Ta), 43W (Tc)
Product Status

Obsolete
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)
系列

PowerTrench®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

21mOhm @ 10.7A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

1082 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

19 nC @ 4.5 V
漏源电压 (Vdss)

20 V
Vgs（最大值）

±12V
场效应管特性

-

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