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Fairchild Semiconductor FDW2510NZ

Name: FDW2510NZ
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDW2510NZ
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDW2510NZ

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDW2510NZ

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 20V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8

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FDW2510NZ Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 6.4A I(D), 20V, 0.024ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8

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FDW2510NZ详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDW2510NZ重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

8-TSSOP (0.173, 4.40mm Width)
供应商器件包装

8-TSSOP
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

6.4A
厂商

Fairchild Semiconductor
Product Status

Obsolete
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

PowerTrench®
功率 - 最大

1.1W
场效应管类型

2 N-Channel (Dual)
Rds On(Max)@Id,Vgs

24mOhm @ 6.4A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

870pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

12nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)

20V
场效应管特性

逻辑电平门

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