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Fairchild Semiconductor FDZ2552P

Name: FDZ2552P
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FDZ2552P
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

FDZ2552P

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FDZ2552P

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

18-WFBGA

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.045ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ULTRA THIN, BGA-18

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FDZ2552P Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 20V, 0.045ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ULTRA THIN, BGA-18

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FDZ2552P详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FDZ2552P重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

18-WFBGA
供应商器件包装

18-BGA (2.5x4)
Package

Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

5.5A (Ta)
厂商

Fairchild Semiconductor
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

PowerTrench®
功率 - 最大

2.1W (Ta)
场效应管类型

2 P-Channel (Dual) Common Drain
Rds On(Max)@Id,Vgs

45mOhm @ 5.5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

884pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

13nC @ 4.5V
漏源电压 (Vdss)

20V
场效应管特性

Standard

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