Fairchild Semiconductor FGL60N170DTU
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FGL60N170DTU
836-FGL60N170DTU
分立半导体产品
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, TO-264AA, TO-264, 3 PIN
1最小包装量--
FGL60N170DTU详情
Fairchild Semiconductor FGL60N170DTU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
Collector-Emitter Saturation Voltage
5 V
Collector-Emitter Breakdown Voltage
1.7 kV
RoHS
Compliant
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
元素配置
Single
功率耗散
200 W
集电极发射器电压(VCEO)
1.7 kV
最大集电极电流
60 A
FGL60N170DTU拓展信息
Fairchild Semiconductor
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