Fairchild Semiconductor FJP13007
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FJP13007
836-FJP13007
分立半导体产品
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Power Bipolar Transistor, 8A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN
1最小包装量--
FJP13007详情
Fairchild Semiconductor FJP13007重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
RoHS
Compliant
Voltage Rating (DC)
400 V
hFEMin
8
Collector-Emitter Breakdown Voltage
400 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1 V
包装
Bulk
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
80 W
额定电流
8 A
极性
NPN
元素配置
Single
增益带宽积
4 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
3 V
最大集电极电流
8 A
转换频率
4 MHz
集电极基极电压(VCBO)
700 V
发射极基极电压 (VEBO)
9 V
无铅
无铅
FJP13007拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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