Fairchild Semiconductor FJV992EMTF
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FJV992EMTF
836-FJV992EMTF
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
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FJV992EMTF详情
Fairchild Semiconductor FJV992EMTF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
hFEMin
400
RoHS
Non-Compliant
最高工作温度
150 °C
最大功率耗散
300 mW
极性
PNP
元素配置
Single
增益带宽积
50 MHz
集电极发射器电压(VCEO)
120 V
最大集电极电流
50 mA
集电极基极电压(VCBO)
120 V
发射极基极电压 (VEBO)
5 V
FJV992EMTF拓展信息







哦! 它是空的。