Fairchild Semiconductor FQA13N50
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FQA13N50
836-FQA13N50
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 500V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
1最小包装量--
FQA13N50详情
Fairchild Semiconductor FQA13N50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
3
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
500 V
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
100 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
最大功率耗散
190 W
额定电流
13.4 A
元素配置
Single
功率耗散
190 W
上升时间
140 ns
漏源电压 (Vdss)
500 V
连续放电电流(ID)
13.4 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏源击穿电压
500 V
输入电容
2.3 nF
漏源电阻
430 mΩ
最大rds
430 mΩ
无铅
无铅
FQA13N50拓展信息
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
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