Fairchild Semiconductor FQA19N20
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FQA19N20
836-FQA19N20
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 200V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN
1最小包装量--
FQA19N20详情
Fairchild Semiconductor FQA19N20重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
引脚数
3
RoHS
Compliant
Turn Off Delay Time
55 ns
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
元素配置
Single
功率耗散
190 W
上升时间
190 ns
连续放电电流(ID)
23 A
栅极至源极电压(Vgs)
30 V
漏源击穿电压
200 V
漏源电阻
150 mΩ
FQA19N20拓展信息
Fairchild Semiconductor
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