注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

Fairchild Semiconductor FQA28N50F

Name: FQA28N50F
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 836-FQA28N50F
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

FQA28N50F

品牌

Fairchild Semiconductor

utmel 编号

836-FQA28N50F

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-3P-3, SC-65-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 28.4A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

FQA28N50F Fairchild Semiconductor Power Field-Effect Transistor, 28.4A I(D), 500V, 0.16ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

FQA28N50F详情

技术参数

Fairchild Semiconductor FQA28N50F重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

TO-3P-3, SC-65-3
安装类型

通孔
供应商器件包装

TO-3P
Package

Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

28.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
厂商

Fairchild Semiconductor
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Product Status

Obsolete
Power Dissipation (Max)

310W (Tc)
操作温度

-55°C ~ 150°C (TJ)
系列

FRFET®
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

160mOhm @ 14.2A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

5600 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

140 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

500 V
Vgs（最大值）

±30V
场效应管特性

-

0个相似型号

FQA28N50F拓展信息

热销零件